на замовлення 12087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3846+ | 1.07 грн |
| 6000+ | 0.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMB11,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMB11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMB11 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMB11,115 за ціною від 1.17 грн до 22.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMB11,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMB11 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 61115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 7201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMB11,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMB11 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 61115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT363 50V .1A PNP/PNP RET |
на замовлення 3684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMB11,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PUMB11,115 | Виробник : NXP |
Tranzystor 2xPNP; 30; 300mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMB11,115; PUMB11,135; PUMB11 NXP TPUMB11 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMB11,115 | Виробник : NEXPERIA |
PUMB11.115 PNP SMD transistors |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMB11,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB11,115 - INTEGRATED PASSIVE FILTERS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
PUMB11,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |