PUMB13,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMB13,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMB13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP, Bauform - Transistor: SOT-363, Bauform - HF-Transistor: SOT-363, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach pnp, Widerstandsverhältnis R1/R2: 10Verhältnis, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції PUMB13,115 за ціною від 1.32 грн до 20.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMB13,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 300mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PUMB13,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 300mW Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PUMB13,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-363 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PUMB13,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP |
на замовлення 4697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PUMB13,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMB13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach pnp, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Dauer-Kollektorstrom Ic: -100mA Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Polarität des Digitaltransistors: Zweifach PNP Bauform - Transistor: SOT-363 Bauform - HF-Transistor: SOT-363 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: -50V Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp Widerstandsverhältnis R1/R2: 10Verhältnis Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 16950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PUMB13,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - Pre-Biased PUMB13/SOT363/SC-88 |
на замовлення 3117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| PUMB13.115 | Виробник : NXP |
2NPN 50V 100mA 300mW PUMB13,115 NXP TPUMB13 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 719 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|