PUMD13,115

PUMD13,115 Nexperia


pemd13_pumd13.pdf
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 25149 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6438+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 6438
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PUMD13,115 Nexperia

Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD13 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PUMD13,115 за ціною від 1.91 грн до 27.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia pemd13_pumd13.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5515+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 5515
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia pemd13_pumd13.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 25149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4292+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 4292
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia pemd13_pumd13.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : NEXPERIA PUMD13.pdf Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.78 грн
500+6.54 грн
1500+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : NEXPERIA PEMD13_PUMD13.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.59 грн
43+9.93 грн
76+5.55 грн
100+4.41 грн
250+3.31 грн
500+2.96 грн
1000+2.75 грн
3000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.15 грн
38+8.02 грн
100+4.99 грн
500+3.41 грн
1000+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia PUMD13.pdf Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 19818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.91 грн
31+10.45 грн
100+5.59 грн
500+4.05 грн
1000+3.49 грн
3000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : NEXPERIA PUMD13.pdf Description: NEXPERIA - PUMD13,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD13 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.31 грн
54+15.16 грн
100+9.78 грн
500+6.54 грн
1500+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 Виробник : NXP PUMD13.pdf NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD13,115 NXP TPUMD13
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 Виробник : NXP/Nexperia/We-En PEMD13_PUMD13.pdf Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 0,3, Тип стр. = 1 NPN + 1PNP (Pre-Biased), Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 100 @ 250 мкА, 5 мА, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,1 @ 250 мкA, 5 мА, Тексп, °С = -65...+150, Сопро
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD13,115 PUMD13,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMD13.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.