PUMD15,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD15,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD15 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMD15,115 за ціною від 2.70 грн до 22.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMD15,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD15,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 94750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD15,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD15 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD15,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 7764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD15,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PUMD15/SOT363/SC-88 |
на замовлення 11143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD15,115 | Виробник : Nexperia Germany GmbH |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD15,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD15 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD15,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PUMD15.115 | Виробник : NXP |
NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD15,115 NXP TPUMD15 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMD15,115 | Виробник : NEXPERIA |
PUMD15.115 Complementary transistors |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|