PUMD18,115 Nexperia
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 411+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD18,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-88, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PUMD18,115 за ціною від 1.45 грн до 17.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 225000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors PUMD18/SOT363/SC-88 |
на замовлення 12262 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD18,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD18,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-88 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
PUMD18,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PUMD18,115 | Виробник : NEXPERIA |
PUMD18.115 Complementary transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PUMD18,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |