Інші пропозиції PUMD3,115 за ціною від 1.94 грн до 19.75 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 408000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 180...230MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ |
на замовлення 1128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 1279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 18494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD3,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 13045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PUMD3,115 | Виробник : NXP |
Tranzystor NPN/PNP; 30; 300mW; 50V; 100mA; 230/180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PUMD3,135; PUMD3,125; PUMD3,165; PUMD3.115; PUMD3,115 NEXPERIA TPUMD3 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMD3,115 | Виробник : NXP |
SOT-363 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
PUMD3,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |