на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 1.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD4,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD4 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PUMD4,115 за ціною від 1.75 грн до 16.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD4,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT363 50V .1A NPN/PNP RET |
на замовлення 3426 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PUMD4,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMD4,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PUMD4,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP Type of transistor: NPN / PNP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| PUMD4,115 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PUMD4,115 | Виробник : Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
товару немає в наявності |