PUMD4,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMD4,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD4 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції PUMD4,115 за ціною від 2.90 грн до 13.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PUMD4,115 | Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 18150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PUMD4,115 | Nexperia |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PUMD4,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOPPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
PUMD4,115 | Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 104 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PUMD4,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
PUMD4,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMD4 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| PUMD4,115 | NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| PUMD4,115 | NXP Semiconductors |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 18150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6834+ | 5.19 грн |
| 10000+ | 4.62 грн |
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6834+ | 5.19 грн |
| 10000+ | 4.62 грн |
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.20 грн |
| 39+ | 7.78 грн |
| 100+ | 4.82 грн |
| 500+ | 3.30 грн |
| 1000+ | 2.90 грн |
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: NEXPERIA - PUMD4,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD4 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6834+ | 5.19 грн |
| 10000+ | 4.62 грн |
| PUMD4,115 |
![]() |
Виробник: NXP Semiconductors
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6834+ | 5.19 грн |
| 10000+ | 4.62 грн |





