PUMD9,115

PUMD9,115 NEXPERIA


pemd9_pumd9.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 132000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PUMD9,115 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMD9 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PUMD9,115 за ціною від 1.47 грн до 26.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : Nexperia pemd9_pumd9.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R
на замовлення 4646523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6186+5.13 грн
10000+4.57 грн
100000+3.84 грн
Мінімальне замовлення: 6186
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+6.89 грн
1500+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : Nexperia Germany GmbH PEMD9_PUMD9.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT; complementary pair
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180...230MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+14.40 грн
42+10.03 грн
52+8.09 грн
100+5.44 грн
250+4.34 грн
500+3.23 грн
1000+2.94 грн
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : Nexperia PUMD9.pdf Digital Transistors PUMD9/SOT363/SC-88
на замовлення 10807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+18.53 грн
38+9.96 грн
50+7.14 грн
100+6.42 грн
250+6.10 грн
500+4.41 грн
1000+3.93 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : NEXPERIA 1759211.pdf Description: NEXPERIA - PUMD9,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: PUMD9 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+26.64 грн
76+11.97 грн
100+10.80 грн
500+6.89 грн
1500+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 Виробник : NXP PUMD9.pdf NPN/PNP 50V 100mA 300mW PUMD9,115 NXP TPUMD9
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.47 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 Виробник : NEXPERIA PUMD9.pdf PUMD9.115 Complementary transistors
на замовлення 3976 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.90 грн
396+3.02 грн
1089+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115
Код товару: 81511
Додати до обраних Обраний товар

PUMD9.pdf Мікросхеми > Транзисторні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMD9,115 PUMD9,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMD9.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6-TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.