PUMF11,115

PUMF11,115 Nexperia USA Inc.


PUMF11.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 145000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10452+2.03 грн
Мінімальне замовлення: 10452
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PUMF11,115 Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PUMF11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: TSSOP, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PUMF11,115 за ціною від 3.01 грн до 17.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : NEXPERIA PUMF11.pdf Description: NEXPERIA - PUMF11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.72 грн
1000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 500
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : NEXPERIA PUMF11.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN / PNP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+8.37 грн
80+ 4.43 грн
225+ 3.63 грн
250+ 3.62 грн
610+ 3.43 грн
Мінімальне замовлення: 45
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : NEXPERIA PUMF11.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN / PNP
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+10.04 грн
50+ 5.52 грн
225+ 4.35 грн
610+ 4.11 грн
Мінімальне замовлення: 30
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : NEXPERIA PUMF11.pdf Description: NEXPERIA - PUMF11,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
43+17.78 грн
52+ 14.64 грн
100+ 7.77 грн
500+ 4.72 грн
1000+ 3.01 грн
Мінімальне замовлення: 43
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : NEXPERIA 307310594009171pumf11.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 300mW Automotive 6-Pin TSSOP T/R
товар відсутній
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMF11.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : Nexperia USA Inc. PUMF11.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA / 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: 6-TSSOP
Part Status: Active
товар відсутній
PUMF11,115 PUMF11,115 Виробник : Nexperia PUMF11-2938913.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PUMF11/SOT363/SC-88
товар відсутній