Технічний опис PUMH1,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: PUMH1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMH1,115 за ціною від 1.93 грн до 21.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMH1,115 | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 12250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PUMH1,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 22kΩ Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 19318 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PUMH1,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMH1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PUMH1,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 98765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PUMH1,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH1,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: PUMH1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PUMH1,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| PUMH1.115 | Виробник : NXP |
2NPN 50V 100mA 300mW PUMH1,115 NXP TPUMH1 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
PUMH1,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active |
товару немає в наявності |