Технічний опис PUMH10-QZ Nexperia
Description: PUMH10-Q/SOT363/SC-88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 230MHz, Resistor - Base (R1): 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: 6-TSSOP, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції PUMH10-QZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMH10-QZ | Виробник : Nexperia |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 6-Pin TSSOP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
| PUMH10-QZ | Виробник : NEXPERIA |
PUMH10-Q/SOT363/SC-88 |
товару немає в наявності |
||
 |
PUMH10-QZ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PUMH10-Q/SOT363/SC-88 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 230MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
 |
PUMH10-QZ | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors SOT363 50V .1A NPN/NPN RET |
товару немає в наявності |