Технічний опис PUMH15,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - PUMH15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-88, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMH15,115 за ціною від 2.36 грн до 25.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PUMH15,115 | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PUMH15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMH15,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SC88; SOT363; TSSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 230MHz Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 4.7kΩ |
на замовлення 460 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMH15,115 | Виробник : Nexperia |
Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. |
на замовлення 10492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PUMH15,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMH15,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-88 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PUMH15,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| PUMH15.115 | Виробник : NXP |
Tranzystor 2xNPN; 30; 300mW; 50V; 100mA; 230MHz; -65°C ~ 150°C; PUMH15.115; PUMH15,115 NXP TPUMH15 кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| PUMH15,115 | Виробник : NXP |
TRANS PREBIAS DUAL NPN 6TSSOP Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
PUMH15,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6-TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7kOhms Supplier Device Package: 6-TSSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PUMH15,115 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |