PUMZ2,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6-TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz, 190MHz
Supplier Device Package: 6-TSSOP
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PUMZ2,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PUMZ2,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 180 mW, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: 180mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA, Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 180mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції PUMZ2,115 за ціною від 2.03 грн до 22.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PUMZ2,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6-TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz, 190MHz Supplier Device Package: 6-TSSOP |
на замовлення 5088 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMZ2,115 | Виробник : Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT PUMZ2/SOT363/SC-88 |
на замовлення 5970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PUMZ2,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PUMZ2,115 - Bipolares Transistor-Array, Universal, NPN, PNP, 50 V, 50 V, 150 mA, 150 mA, 180 mW tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 250hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 100MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 180mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 150mA Übergangsfrequenz, PNP: 190MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 250hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 180mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN, PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 150mA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|