Продукція > NEXPERIA > PXN012-100QLJ
PXN012-100QLJ

PXN012-100QLJ NEXPERIA

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.90 грн
50+17.30 грн
100+17.22 грн
500+15.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN012-100QLJ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 58W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PXN012-100QLJ за ціною від 13.21 грн до 61.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PXN012-100QLJ PXN012-100QLJ Виробник : NEXPERIA Description: NEXPERIA - PXN012-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.012 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
48+17.90 грн
50+17.30 грн
100+17.22 грн
500+15.91 грн
1000+14.61 грн
Мінімальне замовлення: 48
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJ PXN012-100QLJ Виробник : Nexperia MOSFETs N-channel 100 V, 12 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
на замовлення 9066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.73 грн
10+41.88 грн
100+24.43 грн
500+19.39 грн
1000+17.25 грн
3000+14.74 грн
6000+13.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-100QLJ Виробник : NEXPERIA pxn012-100ql.pdf NChannel 100V, 12 mOhm, logic Level Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.