Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN012-60QLJ
PXN012-60QLJ

PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc.

PXN012-60QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.71 грн
6000+10.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 34.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PXN012-60QLJ за ціною від 10.07 грн до 24.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia pxn012-60ql.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2891+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia USA Inc. PXN012-60QL.pdf Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
18+16.90 грн
25+15.05 грн
100+12.18 грн
250+11.26 грн
500+10.70 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ Nexperia PXN012-60QL.pdf MOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ NEXPERIA 3388635.pdf Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QLJ NEXPERIA 3388635.pdf Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ pxn012-60ql.pdf
PXN012-60QLJ
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 60V 42A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 5480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2891+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 2891 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QL.pdf
PXN012-60QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 957 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.77 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
18+16.90 грн
25+15.05 грн
100+12.18 грн
250+11.26 грн
500+10.70 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ PXN012-60QL.pdf
PXN012-60QLJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 45040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ 3388635.pdf
PXN012-60QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN012-60QLJ 3388635.pdf
PXN012-60QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN012-60QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 42 A, 0.0098 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 34.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.