PXN028-100QLJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN028-100QLJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PXN028-100QLJ за ціною від 7.26 грн до 51.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXN028-100QLJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs N-channel 100 V, 28 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33 |
на замовлення 3445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXN028-100QLJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A Power Dissipation (Max): 30W Supplier Device Package: MLPAK33 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V |
на замовлення 4228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXN028-100QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXN028-100QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PXN028-100QLJ | Виробник : NEXPERIA |
NChannel 100V, 28 mOhm, logic Level Trench MOSFET |
товару немає в наявності |