Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN028-100QLJ
PXN028-100QLJ

PXN028-100QLJ Nexperia USA Inc.

PXN028-100QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN028-100QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PXN028-100QLJ за ціною від 11.03 грн до 45.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXN028-100QLJ PXN028-100QLJ Nexperia USA Inc. PXN028-100QL.pdf Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.41 грн
11+27.13 грн
100+17.35 грн
500+12.31 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJ PXN028-100QLJ NEXPERIA PXN028-100QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJ PXN028-100QLJ NEXPERIA PXN028-100QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJ PXN028-100QL.pdf
PXN028-100QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 100 V, 28 MOHM, LOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A
Power Dissipation (Max): 30W
Supplier Device Package: MLPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 4.5 V
на замовлення 4228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.41 грн
11+27.13 грн
100+17.35 грн
500+12.31 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJ PXN028-100QL.pdf
PXN028-100QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN028-100QLJ PXN028-100QL.pdf
PXN028-100QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN028-100QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24 A, 0.028 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.