PXN040-100QSJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 21W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 39.21 грн |
| 29+ | 29.94 грн |
| 100+ | 15.82 грн |
| 500+ | 11.37 грн |
| 1000+ | 7.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN040-100QSJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 21W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PXN040-100QSJ за ціною від 5.84 грн до 41.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXN040-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXN040-100QSJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.04 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 21W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXN040-100QSJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Power Dissipation (Max): 21W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
на замовлення 1839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXN040-100QSJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PXN040-100QS/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 10354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PXN040-100QSJ | Виробник : NEXPERIA |
NChannel 100V, 40 mOhm, Standard Level Trench MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
|
PXN040-100QSJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: N-CHANNEL 100 V, 40 MOHM, STANDA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A Power Dissipation (Max): 21W Supplier Device Package: MLPAK33 Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V |
товару немає в наявності |