Продукція > NEXPERIA > PXN2R9-100RSJ
PXN2R9-100RSJ

PXN2R9-100RSJ Nexperia


Виробник: Nexperia
MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 168 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.94 грн
10+136.73 грн
100+93.94 грн
500+78.53 грн
1000+67.67 грн
3000+64.36 грн
6000+62.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN2R9-100RSJ Nexperia

Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: MLPAK56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PXN2R9-100RSJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PXN2R9-100RSJ Виробник : Nexperia USA Inc. Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK56
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.