на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.40 грн |
| 10+ | 137.06 грн |
| 100+ | 94.17 грн |
| 500+ | 78.72 грн |
| 1000+ | 67.83 грн |
| 3000+ | 64.52 грн |
| 6000+ | 62.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN2R9-100RSJ Nexperia
Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 181W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: MLPAK56, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V.
Інші пропозиції PXN2R9-100RSJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| PXN2R9-100RSJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXN2R9-100RS/SOT8038/MLPAK56 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 181W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK56 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4892 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |