Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN6R2-25QLJ

PXN6R2-25QLJ Nexperia USA Inc.

Name: PXN6R2-25QLJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 13038001-3
Price: 52350.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	17.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PXN6R2-25QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 1.7W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.

Інші пропозиції PXN6R2-25QLJ за ціною від 15.60 грн до 67.90 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

PXN6R2-25QLJ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Nexperia USA Inc.

Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	39.61 грн
12+	27.00 грн
50+	22.35 грн
100+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	55.57 грн
19+	42.69 грн
100+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Nexperia

MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

5+	67.90 грн
10+	41.20 грн
100+	24.44 грн
500+	19.40 грн
3000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
100+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN6R2-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 40.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 13.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 65A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3186 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
8+	39.61 грн
12+	27.00 грн
50+	22.35 грн
100+	19.62 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN6R2-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 13.1 A, 5300 µohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm

на замовлення 289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
15+	55.57 грн
19+	42.69 грн
100+	29.32 грн

Мінімальне замовлення: 15 шт

В кошику од. на суму грн.

PXN6R2-25QLJ

Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8002 N-CH 25V 13.1A

на замовлення 5112 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	67.90 грн
10+	41.20 грн
100+	24.44 грн
500+	19.40 грн
3000+	15.60 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.