Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN7R7-25QLJ
PXN7R7-25QLJ

PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc.

PXN7R7-25QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.7W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.7W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції PXN7R7-25QLJ за ціною від 13.10 грн до 32.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QLJ Nexperia USA Inc. PXN7R7-25QL.pdf Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.33 грн
14+21.72 грн
25+19.36 грн
100+15.75 грн
250+14.59 грн
500+13.90 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QLJ NEXPERIA 3175817.pdf Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QLJ NEXPERIA 3175817.pdf Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ NEXPERIA PXN7R7-25QL.pdf Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QL.pdf
PXN7R7-25QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.33 грн
14+21.72 грн
25+19.36 грн
100+15.75 грн
250+14.59 грн
500+13.90 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ 3175817.pdf
PXN7R7-25QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ 3175817.pdf
PXN7R7-25QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 11.8 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJ PXN7R7-25QL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.