PXN8R3-30QLJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.35 грн |
| 15+ | 21.13 грн |
| 25+ | 18.81 грн |
| 100+ | 15.29 грн |
| 250+ | 14.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXN8R3-30QLJ Nexperia USA Inc.
Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції PXN8R3-30QLJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
PXN8R3-30QLJ | Nexperia |
MOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 1648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| PXN8R3-30QLJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
MOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)