PXN9R0-30QLJ

PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.


PXN9R0-30QL.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 11.4, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції PXN9R0-30QLJ за ціною від 11.42 грн до 48.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Виробник : Nexperia USA Inc. PXN9R0-30QL.pdf Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
на замовлення 4585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.24 грн
17+19.04 грн
25+16.97 грн
100+13.76 грн
250+12.74 грн
500+12.12 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Виробник : NEXPERIA 3187173.pdf Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.79 грн
500+22.61 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Виробник : Nexperia PXN9R0-30QL.pdf MOSFETs 30 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+31.33 грн
18+19.30 грн
100+14.47 грн
250+13.43 грн
500+12.76 грн
1000+12.23 грн
3000+11.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Виробник : NEXPERIA 3187173.pdf Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.53 грн
22+38.74 грн
100+28.79 грн
500+22.61 грн
1000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.