Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN9R0-30QLJ
PXN9R0-30QLJ

PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.

PXN9R0-30QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PXN9R0-30QLJ за ціною від 16.37 грн до 33.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN9R0-30QL.pdf Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.64 грн
50+18.67 грн
100+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Nexperia PXN9R0-30QL.pdf MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QL.pdf
PXN9R0-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+33.70 грн
14+22.64 грн
50+18.67 грн
100+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QL.pdf
PXN9R0-30QLJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.