Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXN9R0-30QLJ
PXN9R0-30QLJ

PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.

PXN9R0-30QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.47 грн
10+35.73 грн
50+26.21 грн
100+21.68 грн
500+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXN9R0-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 11.4, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції PXN9R0-30QLJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ Nexperia PXN9R0-30QL.pdf MOSFETs PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ NEXPERIA 3187173.pdf Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QLJ NEXPERIA 3187173.pdf Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ PXN9R0-30QL.pdf
PXN9R0-30QLJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ 3187173.pdf
PXN9R0-30QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJ 3187173.pdf
PXN9R0-30QLJ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.