PXP010-20QXJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.3W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.80 грн |
| 500+ | 18.62 грн |
| 1500+ | 16.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP010-20QXJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.3W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchMOS Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PXP010-20QXJ за ціною від 14.86 грн до 48.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXP010-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP010-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 17.1 A, 0.0084 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.3W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0084ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PXP010-20QXJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs SOT8002 P CHAN 20V |
на замовлення 2529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| PXP010-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.8A 2-Pin DFN-BD T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
PXP010-20QXJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 10.8A 2-Pin DFN-BD T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
PXP010-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
PXP010-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP010-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 37.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 21W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |