PXP011-20QXJ NEXPERIA
Виробник: NEXPERIADescription: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 10.5
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 34.9 грн |
| 500+ | 25.66 грн |
| 1000+ | 17.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP011-20QXJ NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20, Dauer-Drainstrom Id: 10.5, hazardous: false, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції PXP011-20QXJ за ціною від 14.62 грн до 51.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXP011-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP011-20QXJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP011-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP011-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 10.5 A, 0.0091 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20 Dauer-Drainstrom Id: 10.5 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8 Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0091 Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP011-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V |
товар відсутній |