Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP012-30QLJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PXP012-30QLJ за ціною від 16.18 грн до 63.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXP012-30QLJ | Nexperia |
 Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PXP012-30QLJ | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PXP012-30QLJ | Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PXP012-30QLJ | Nexperia |
MOSFETs SOT8002 P-CH 30V 8.9A |
на замовлення 3298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
PXP012-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
PXP012-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6000+ | 16.89 грн |
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 327+ | 43.43 грн |
| 473+ | 29.98 грн |
| 597+ | 23.78 грн |
| 1000+ | 20.94 грн |
| 3000+ | 16.85 грн |
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin MLPAK33 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 63.68 грн |
| 18+ | 43.43 грн |
| 100+ | 29.98 грн |
| 500+ | 22.93 грн |
| 1000+ | 19.39 грн |
| 3000+ | 16.18 грн |
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8002 P-CH 30V 8.9A
MOSFETs SOT8002 P-CH 30V 8.9A
на замовлення 3298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PXP012-30QLJ |
|
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: NEXPERIA - PXP012-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 15.2 A, 0.0111 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 4.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 4.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0111ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0111ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)