на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6000+ | 12.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP015-30QLJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 4.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 4.2W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PXP015-30QLJ за ціною від 11.60 грн до 63.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXP015-30QLJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
 Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 8.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP015-30QLJ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs PXP015-30QL/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 3641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP015-30QLJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: P-CHANNEL TRENCH MOSFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), 24.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8mOhm @ 8.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 5724 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP015-30QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PXP015-30QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP015-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.8 A, 0.0136 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 4.2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.2W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Produktreihe Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0136ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0136ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PXP015-30QLJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
PXP015-30QLJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PXP015-30QLJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товару немає в наявності |