на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2272+ | 13.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP018-20QXJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: No, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PXP018-20QXJ за ціною від 12.18 грн до 43.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PXP018-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP018-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 39.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP018-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0144ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP018-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP018-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 39.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.1A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 10 V |
на замовлення 13422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP018-20QXJ | Виробник : Nexperia | MOSFETs PXP018-20QX/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP018-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP018-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.4 A, 0.0144 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PXP018-20QXJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 8.4A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
PXP018-20QXJ | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET P-CH 20V 8.4A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
PXP018-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET P-CH 20V 8.4A 8-Pin MLPAK33 EP T/R |
товару немає в наявності |