Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXP018-30QLJ
PXP018-30QLJ

PXP018-30QLJ Nexperia USA Inc.

PXP018-30QL.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+51.26 грн
10+30.66 грн
100+19.66 грн
500+14.01 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP018-30QLJ Nexperia USA Inc.

Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta).

Інші пропозиції PXP018-30QLJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXP018-30QLJ PXP018-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP018-30QL.pdf Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP018-30QLJ PXP018-30QLJ Nexperia PXP018-30QL.pdf MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP018-30QLJ PXP018-30QL.pdf
PXP018-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP018-30QL/SOT8002/MLPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 447 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP018-30QLJ PXP018-30QL.pdf
PXP018-30QLJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs 20 V, P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.