Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXP1500-100QSJ
PXP1500-100QSJ

PXP1500-100QSJ Nexperia USA Inc.

PXP1500-100QS.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+40.76 грн
50+29.90 грн
100+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP1500-100QSJ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V.

Інші пропозиції PXP1500-100QSJ

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXP1500-100QSJ PXP1500-100QSJ Nexperia USA Inc. PXP1500-100QS.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP1500-100QSJ PXP1500-100QSJ Nexperia PXP1500-100QS.pdf MOSFETs SOT8002 100V 700A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP1500-100QSJ PXP1500-100QS.pdf
PXP1500-100QSJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 700MA LFPAK33
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 16.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta), 1.4A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP1500-100QSJ PXP1500-100QS.pdf
PXP1500-100QSJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8002 100V 700A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.