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Технічний опис PXP3R7-12QUJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm.
Інші пропозиції PXP3R7-12QUJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PXP3R7-12QUJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PXP3R7-12QUJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PXP3R7-12QUJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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MSL: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: MLPAK33
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Produktpalette: Trench Series
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Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PXP3R7-12QUJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
Description: NEXPERIA - PXP3R7-12QUJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 18.7 A, 0.0032 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
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Kanaltyp: p-Kanal
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на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)