PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm.
Інші пропозиції PXP8R3-20QXJ за ціною від 15.56 грн до 52.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PXP8R3-20QXJ | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: MLPAK33 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V |
на замовлення 6852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP8R3-20QXJ | Виробник : Nexperia |
MOSFET PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33 |
на замовлення 13127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PXP8R3-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
PXP8R3-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| PXP8R3-20QXJ | Виробник : NEXPERIA |
PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33 |
товар відсутній |