Продукція > NEXPERIA USA INC. > PXP8R3-20QXJ
PXP8R3-20QXJ

PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.

PXP8R3-20QX.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.

Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±12V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: MLPAK33, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції PXP8R3-20QXJ за ціною від 22.00 грн до 84.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc. PXP8R3-20QX.pdf Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+50.95 грн
100+33.41 грн
500+24.28 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Nexperia PXP8R3-20QX.pdf MOSFETs SOT8002 P-CH 20V 12.4A
на замовлення 11782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QX.pdf
PXP8R3-20QXJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.65 грн
10+50.95 грн
100+33.41 грн
500+24.28 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QX.pdf
PXP8R3-20QXJ
Виробник: Nexperia
MOSFETs SOT8002 P-CH 20V 12.4A
на замовлення 11782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.