PXP8R3-20QXJ

PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.


PXP8R3-20QX.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PXP8R3-20QXJ Nexperia USA Inc.

Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm.

Інші пропозиції PXP8R3-20QXJ за ціною від 18.24 грн до 85.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Виробник : Nexperia PXP8R3-20QX.pdf MOSFETs PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 12087 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.91 грн
10+52.88 грн
100+31.63 грн
500+24.57 грн
1000+22.36 грн
3000+19.35 грн
6000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Виробник : Nexperia USA Inc. PXP8R3-20QX.pdf Description: PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 65.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 12.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 10 V
на замовлення 5804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.95 грн
10+51.73 грн
100+33.92 грн
500+24.65 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Виробник : NEXPERIA PXP8R3-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ PXP8R3-20QXJ Виробник : NEXPERIA PXP8R3-20QX.pdf Description: NEXPERIA - PXP8R3-20QXJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 12.4 A, 0.0066 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0066ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXP8R3-20QXJ Виробник : NEXPERIA PXP8R3-20QX.pdf PXP8R3-20QX/SOT8002/MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.