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Технічний опис PXP9R1-30QLJ Nexperia
Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.8W, Bauform - Transistor: MLPAK33, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm.
Інші пропозиції PXP9R1-30QLJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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PXP9R1-30QLJ | NEXPERIA |
 Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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PXP9R1-30QLJ | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.8W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: MLPAK33 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PXP9R1-30QLJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PXP9R1-30QLJ |
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Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Description: NEXPERIA - PXP9R1-30QLJ - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10.9 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: p-Kanal
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на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)