Інші пропозиції PZT2222AT1G за ціною від 6.93 грн до 85.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 69300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 213000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of transistor: NPN Case: SOT223-4; TO261-4 Power dissipation: 1.5W Collector current: 0.6A Collector-emitter voltage: 40V Current gain: 100...300 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar |
на замовлення 4037 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 69431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V NPN |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| PZT2222AT1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 PZT2222AT1G PZT2222AT3G PZT2222A ONS TPZT2222a ONS кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| PZT2222AT1G | Виробник : On Semiconductor |
NPN перекл. 40 V 0,6 A 250 нсек 300 МГц Hfe=300 SOT-223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |