PZT2222AT3G ON Semiconductor
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 13.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PZT2222AT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції PZT2222AT3G за ціною від 8.22 грн до 51.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT3G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 75V NPN |
на замовлення 10525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
PZT2222AT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| PZT2222AT3G | Виробник : ON |
06+ |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| PZT2222AT3G | Виробник : ON |
09+ |
на замовлення 22328 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
PZT2222AT3G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1.5 W |
товару немає в наявності |