Технічний опис PZT3906 PHILIPS
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300, DC-Stromverstärkung hFE: 300, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200, Verlustleistung: 1, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Інші пропозиції PZT3906
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
PZT3906 | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Supplier Device Package: SOT-223-4 Frequency - Transition: 250MHz |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PZT3906 | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PZT3906 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PZT3906 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PZT3906 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontageTransistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
PZT3906 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, OberflächenmontageKollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Verlustleistung: 1 DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 200 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. |
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 250MHz
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Frequency - Transition: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
Bipolar Transistors - BJT PNP General Purpose
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
DC-Stromverstärkung hFE: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
Verlustleistung: 1
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT3906 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: ONSEMI - PZT3906 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
Verlustleistung: 1
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.





