Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G
PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

pzt651t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.97 грн
2000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 10.32 грн до 62.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.90 грн
2000+13.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+15.39 грн
2000+13.45 грн
3000+12.76 грн
5000+11.23 грн
7000+10.80 грн
10000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
482+26.92 грн
583+22.26 грн
698+18.59 грн
1000+14.66 грн
2000+11.60 грн
25000+10.42 грн
50000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 482
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.90 грн
200+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+32.08 грн
26+28.85 грн
100+23.85 грн
500+19.21 грн
1000+14.54 грн
2000+11.93 грн
25000+11.17 грн
50000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+35.10 грн
383+33.88 грн
397+32.67 грн
500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.42 грн
25+37.61 грн
100+35.01 грн
250+31.26 грн
500+28.89 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.29 грн
10+33.15 грн
100+21.49 грн
500+15.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.31 грн
10+35.90 грн
100+20.21 грн
500+15.51 грн
1000+13.91 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+62.59 грн
21+38.69 грн
50+31.90 грн
200+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G Виробник : ONSEMI pzt651t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.05 грн
14+30.25 грн
100+19.50 грн
500+15.75 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G Виробник : ONSEMI pzt651t1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.46 грн
10+37.69 грн
100+23.40 грн
500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.