Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

Name: PZT651T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 15675874-5
Price: 12390.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	12.39 грн
2000+	12.18 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 9.85 грн до 66.09 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	13.27 грн
2000+	13.05 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	13.28 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	18.42 грн
2000+	16.10 грн
3000+	15.26 грн
5000+	13.44 грн
7000+	12.92 грн
10000+	12.41 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
482+	25.70 грн
583+	21.25 грн
698+	17.75 грн
1000+	14.00 грн
2000+	11.07 грн
25000+	9.95 грн
50000+	9.85 грн

Мінімальне замовлення: 482

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	30.63 грн
26+	27.54 грн
100+	22.77 грн
500+	18.34 грн
1000+	13.89 грн
2000+	11.39 грн
25000+	10.66 грн
50000+	10.56 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.35 грн
200+	24.10 грн
500+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
370+	33.51 грн
383+	32.35 грн
397+	31.19 грн
500+	28.96 грн

Мінімальне замовлення: 370

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	38.58 грн
25+	35.90 грн
100+	33.42 грн
250+	29.84 грн
500+	27.58 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN

на замовлення 27864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	44.90 грн
12+	31.88 грн
100+	21.23 грн
500+	16.80 грн
1000+	13.29 грн
2000+	11.91 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	52.09 грн
24+	36.67 грн
50+	31.35 грн
200+	24.10 грн
500+	17.62 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	66.09 грн
10+	39.70 грн
100+	25.72 грн
500+	18.47 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.