Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

Name: PZT651T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 15675874-5
Price: 12470.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	12.47 грн
2000+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 9.92 грн до 65.79 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	13.22 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	13.36 грн
2000+	13.14 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	18.34 грн
2000+	16.03 грн
3000+	15.20 грн
5000+	13.38 грн
7000+	12.86 грн
10000+	12.36 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
482+	25.89 грн
583+	21.40 грн
698+	17.88 грн
1000+	14.10 грн
2000+	11.15 грн
25000+	10.02 грн
50000+	9.92 грн

Мінімальне замовлення: 482

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	30.84 грн
26+	27.74 грн
100+	22.93 грн
500+	18.47 грн
1000+	13.98 грн
2000+	11.47 грн
25000+	10.74 грн
50000+	10.63 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	31.22 грн
200+	24.00 грн
500+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
370+	33.75 грн
383+	32.58 грн
397+	31.41 грн
500+	29.16 грн

Мінімальне замовлення: 370

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	38.86 грн
25+	36.16 грн
100+	33.66 грн
250+	30.05 грн
500+	27.77 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 1021 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	51.85 грн
24+	36.50 грн
50+	31.22 грн
200+	24.00 грн
500+	17.54 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN

на замовлення 14619 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
6+	60.23 грн
10+	37.33 грн
100+	21.29 грн
500+	16.42 грн
1000+	13.00 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	65.79 грн
10+	39.52 грн
100+	25.60 грн
500+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.