Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

Name: PZT651T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 603491-5
Price: 11390 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	11.39 грн
2000+	11.20 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 9.06 грн до 66.23 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 133000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	12.27 грн
2000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	13.30 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1000+	18.46 грн
2000+	16.13 грн
3000+	15.30 грн
5000+	13.47 грн
7000+	12.95 грн
10000+	12.44 грн

Мінімальне замовлення: 1000

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
482+	25.46 грн
583+	21.05 грн
698+	17.58 грн
1000+	13.86 грн
2000+	10.97 грн
25000+	9.86 грн
50000+	9.76 грн

Мінімальне замовлення: 482

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 232000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	26.29 грн
26+	23.64 грн
100+	19.54 грн
500+	15.74 грн
1000+	11.92 грн
2000+	9.78 грн
25000+	9.15 грн
50000+	9.06 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
100+	28.25 грн
200+	22.32 грн
500+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
19+	33.12 грн
25+	30.82 грн
100+	28.69 грн
250+	25.61 грн
500+	23.67 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

на замовлення 966 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
370+	33.19 грн
383+	32.04 грн
397+	30.89 грн
500+	28.68 грн

Мінімальне замовлення: 370

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ONSEMI

на замовлення 828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
20+	44.21 грн
27+	32.45 грн
50+	28.25 грн
200+	22.32 грн
500+	16.26 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN

на замовлення 27864 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
8+	45.00 грн
12+	31.95 грн
100+	21.28 грн
500+	16.84 грн
1000+	13.32 грн
2000+	11.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : onsemi

Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW

на замовлення 14939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
5+	66.23 грн
10+	39.78 грн
100+	25.77 грн
500+	18.51 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

PZT651T1G

Виробник : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.