Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G
PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

pzt651t1-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.12 грн
2000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 10.30 грн до 54.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PZT651T1G PZT651T1G ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+14.12 грн
2000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+15.28 грн
2000+13.36 грн
3000+12.66 грн
5000+11.15 грн
7000+10.72 грн
10000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
482+29.31 грн
583+24.23 грн
698+20.24 грн
1000+15.96 грн
2000+12.63 грн
25000+11.35 грн
50000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.59 грн
26+29.31 грн
100+24.23 грн
500+19.51 грн
1000+14.78 грн
2000+12.12 грн
25000+11.35 грн
50000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
370+38.21 грн
383+36.88 грн
397+35.56 грн
500+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.06 грн
25+38.21 грн
100+35.56 грн
250+31.75 грн
500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.90 грн
10+32.91 грн
100+21.34 грн
500+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G onsemi pzt651t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+14.12 грн
2000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+15.28 грн
2000+13.36 грн
3000+12.66 грн
5000+11.15 грн
7000+10.72 грн
10000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
482+29.31 грн
583+24.23 грн
698+20.24 грн
1000+15.96 грн
2000+12.63 грн
25000+11.35 грн
50000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 482 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+32.59 грн
26+29.31 грн
100+24.23 грн
500+19.51 грн
1000+14.78 грн
2000+12.12 грн
25000+11.35 грн
50000+11.23 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
370+38.21 грн
383+36.88 грн
397+35.56 грн
500+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 370 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.06 грн
25+38.21 грн
100+35.56 грн
250+31.75 грн
500+29.34 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 11466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+54.90 грн
10+32.91 грн
100+21.34 грн
500+15.32 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PZT651T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G pzt651t1-d.pdf
PZT651T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN
на замовлення 11658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PZT651T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.