Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT651T1G
PZT651T1G

PZT651T1G ON Semiconductor

pzt651t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.12 грн
2000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Dauerkollektorstrom: 2A, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 9.64 грн до 65.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.99 грн
2000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+18.24 грн
2000+15.94 грн
3000+15.11 грн
5000+13.31 грн
7000+12.79 грн
10000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
482+25.15 грн
583+20.79 грн
698+17.37 грн
1000+13.70 грн
2000+10.84 грн
25000+9.74 грн
50000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 482
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 232000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.97 грн
26+26.95 грн
100+22.28 грн
500+17.95 грн
1000+13.59 грн
2000+11.15 грн
25000+10.43 грн
50000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.05 грн
200+23.87 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
370+32.79 грн
383+31.65 грн
397+30.52 грн
500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 370
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.76 грн
25+35.14 грн
100+32.70 грн
250+29.20 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN
на замовлення 27864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.46 грн
12+31.57 грн
100+21.02 грн
500+16.64 грн
1000+13.16 грн
2000+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013750171-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+51.57 грн
24+36.30 грн
50+31.05 грн
200+23.87 грн
500+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : onsemi pzt651t1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.44 грн
10+39.30 грн
100+25.46 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PZT651T1G PZT651T1G Виробник : ON Semiconductor pzt651t1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.