PZT651T1G ON Semiconductor
на замовлення 133000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 11.31 грн |
| 2000+ | 11.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PZT651T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PZT651T1G за ціною від 9.00 грн до 62.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 133000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 232000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 232000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT651T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 75hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
PZT651T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V NPN |
на замовлення 27864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 14939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT651T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |