PZT751T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 1936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 31.99 грн |
12+ | 23.96 грн |
100+ | 14.36 грн |
500+ | 12.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PZT751T1G onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 75MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.
Інші пропозиції PZT751T1G за ціною від 6.77 грн до 34.2 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
PZT751T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 40 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60 Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PZT751T1G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PZT751T1G | Виробник : ON-Semicoductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
PZT751T1G Код товару: 86620 |
Транзистори > Біполярні PNP |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
PZT751T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
товар відсутній |