PZT751T1G ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 9.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PZT751T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції PZT751T1G за ціною від 8.48 грн до 51.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT751T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT751T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 75MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 10052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 2A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
PZT751T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP |
на замовлення 27320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PZT751T1G | Виробник : ON-Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PZT751T1G Код товару: 86620
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Біполярні PNP |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
PZT751T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PZT751T1G | Виробник : Bourns |
Bipolar Transistors - BJT |
товару немає в наявності |