Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PZT751T1G за ціною від 11.43 грн до 59.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 31000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 2A Power dissipation: 0.8W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 40 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 75MHz |
на замовлення 977 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Frequency - Transition: 75MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PZT751T1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP |
на замовлення 15567 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
PZT751T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 3 - 168 Stunden Verlustleistung: 800mW SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 75MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PZT751T1G | ON-Semiconductor |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.02 грн |
| 2000+ | 13.71 грн |
| 10000+ | 12.72 грн |
| 25000+ | 11.43 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 31000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.02 грн |
| 2000+ | 13.71 грн |
| 10000+ | 12.72 грн |
| 25000+ | 11.43 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.29 грн |
| 2000+ | 13.94 грн |
| 10000+ | 12.95 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 15.31 грн |
| 2000+ | 13.96 грн |
| 10000+ | 12.95 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 23.70 грн |
| 3000+ | 21.09 грн |
| 5000+ | 19.39 грн |
| 8000+ | 15.30 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 421+ | 33.57 грн |
| 600+ | 23.54 грн |
| 605+ | 23.33 грн |
| 804+ | 16.93 грн |
| 1000+ | 14.62 грн |
| 3000+ | 13.01 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 385+ | 36.67 грн |
| 607+ | 23.27 грн |
| 812+ | 17.40 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 2A; 0.8W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 2A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 40
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 75MHz
на замовлення 977 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 41.87 грн |
| 17+ | 24.65 грн |
| 50+ | 18.53 грн |
| 100+ | 16.21 грн |
| 200+ | 14.23 грн |
| 500+ | 11.83 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Power - Max: 800 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Frequency - Transition: 75MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 44.07 грн |
| 12+ | 26.13 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 58.42 грн |
| 21+ | 36.98 грн |
| 25+ | 33.57 грн |
| 100+ | 22.70 грн |
| 250+ | 20.83 грн |
| 500+ | 15.05 грн |
| 1000+ | 14.03 грн |
| 3000+ | 13.01 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 59.70 грн |
| 21+ | 36.67 грн |
| 100+ | 23.27 грн |
| 500+ | 16.77 грн |
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
на замовлення 15567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung: 800mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 2A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZT751T1G |
![]() |
Виробник: ON-Semiconductor
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751
кількість в упаковці: 50 шт
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 13.14 грн |








