Продукція > ON SEMICONDUCTOR > PZT751T1G
PZT751T1G

PZT751T1G ON Semiconductor

pzt751t1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+8.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PZT751T1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції PZT751T1G за ціною від 7.24 грн до 46.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.47 грн
2000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : onsemi pzt751t1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.61 грн
2000+9.32 грн
3000+8.85 грн
5000+7.81 грн
7000+7.52 грн
10000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1080+11.27 грн
2000+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 1080
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+11.37 грн
2000+9.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.17 грн
3000+11.71 грн
5000+11.54 грн
8000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+12.33 грн
2000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013713805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.04 грн
200+12.48 грн
500+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : onsemi pzt751t1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 15652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.38 грн
14+21.38 грн
100+14.46 грн
500+10.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013713805-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - PZT751T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+42.26 грн
31+26.56 грн
50+20.04 грн
200+12.48 грн
500+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : onsemi PZT751T1_D-2320240.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
на замовлення 27320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.72 грн
12+29.46 грн
100+12.63 грн
1000+10.12 грн
2000+8.40 грн
10000+7.97 грн
25000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G Виробник : ON-Semicoductor pzt751t1-d.pdf Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 2A 75MHz 800mW Surface Mount SOT-223 PZT751T1G TPZT751
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G
Код товару: 86620
Додати до обраних Обраний товар

pzt751t1-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G PZT751T1G Виробник : ON Semiconductor pzt751t1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PZT751T1G Виробник : Bourns pzt751t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.