Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PZTA06 за ціною від 10.69 грн до 56.31 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PZTA06 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
PZTA06 | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 38288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
PZTA06 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 24526 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
PZTA06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
PZTA06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 12.07 грн |
| 8000+ | 10.69 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 14.92 грн |
| 52+ | 14.68 грн |
| 53+ | 14.43 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 786+ | 17.97 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1894+ | 18.63 грн |
| 10000+ | 16.61 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 38288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.31 грн |
| 10+ | 33.66 грн |
| 100+ | 21.71 грн |
| 500+ | 15.54 грн |
| 1000+ | 13.98 грн |
| 2000+ | 12.67 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 24526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| PZTA06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)