Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції PZTA06 за ціною від 10.17 грн до 60.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PZTA06 | onsemi |
 Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 20072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PZTA06 | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 1W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
PZTA06 | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-223-4 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PZTA06 | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose |
на замовлення 890 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
PZTA06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
PZTA06 | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
PZTA06 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 11.88 грн |
| 8000+ | 10.52 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 51+ | 15.05 грн |
| 52+ | 14.81 грн |
| 53+ | 14.56 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 786+ | 18.13 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1894+ | 18.79 грн |
| 10000+ | 16.75 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 1W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 15+ | 30.04 грн |
| 25+ | 25.25 грн |
| 41+ | 23.41 грн |
| 100+ | 22.37 грн |
| 112+ | 22.13 грн |
| 500+ | 21.29 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.54 грн |
| 10+ | 33.13 грн |
| 100+ | 21.36 грн |
| 500+ | 15.29 грн |
| 1000+ | 13.76 грн |
| 2000+ | 12.47 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
Bipolar Transistors - BJT NPN General Purpose
на замовлення 890 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.15 грн |
| 10+ | 36.92 грн |
| 100+ | 20.70 грн |
| 500+ | 15.80 грн |
| 1000+ | 14.19 грн |
| 2000+ | 12.87 грн |
| 4000+ | 10.17 грн |
| PZTA06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA06 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| PZTA06 |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - PZTA06 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100hFE
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)