
QEE123 ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 35.15 грн |
1000+ | 29.71 грн |
2000+ | 28.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QEE123 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QEE123 - Infrarot-Emitter, 890 nm, 50 °, Radial bedrahtet, 9 mW/Sr, 900 ns, 800 ns, tariffCode: 85414100, Bauform - Diode: Radial bedrahtet, Durchlassspannung Vf max.: 1.7V, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Abfallzeit tf: 800ns, MSL: -, usEccn: EAR99, Spitzenwellenlänge: 890nm, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr, Halbwertswinkel: 50°, euEccn: NLR, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA, Produktpalette: QEE12X Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 100°C, Anstiegszeit: 900ns, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції QEE123 за ціною від 25.53 грн до 105.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 17176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: Radial, Side View Wavelength: 880nm Mounting Type: Through Hole Type: Infrared (IR) Orientation: Side View Operating Temperature: -40°C ~ 100°C (TA) Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.7V Viewing Angle: 50° Current - DC Forward (If) (Max): 50mA Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 8mW/sr @ 100mA |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414100 Bauform - Diode: Radial bedrahtet Durchlassspannung Vf max.: 1.7V rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Abfallzeit tf: 800ns MSL: - usEccn: EAR99 Spitzenwellenlänge: 890nm Betriebstemperatur, min.: -40°C Strahlungsintensität (Ie): 9mW/Sr Halbwertswinkel: 50° euEccn: NLR Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 100mA Produktpalette: QEE12X Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 100°C Anstiegszeit: 900ns SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
QEE123 | Виробник : ONSEMI |
![]() |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
QEE123 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |