Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QH8JA1TCR

QH8JA1TCR Rohm Semiconductor

Name: QH8JA1TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 12860090-3
Price: 415.48 UAH
Availability: InStock

datasheet?p=QH8JA1&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key

Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active

на замовлення 1959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	103.87 грн
10+	62.92 грн
100+	41.73 грн
500+	30.62 грн
1000+	27.87 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис QH8JA1TCR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QH8JA1TCR

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
QH8JA1TCR	ROHM Semiconductor	MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET	на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
QH8JA1TCR	ROHM	Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
QH8JA1TCR	ROHM	Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W Betriebstemperatur, max.: 150°C	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.

QH8JA1TCR

Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 20V Pch+Pch Si MOSFET

на замовлення 2743 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

QH8JA1TCR

Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

QH8JA1TCR

Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JA1TCR - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5 A, 5 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.038ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.