Продукція > ROHM > QH8JE5TCR
QH8JE5TCR

QH8JE5TCR ROHM

4197356.pdf
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+121.93 грн
13+64.21 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8JE5TCR ROHM

Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції QH8JE5TCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8JE5TCR QH8JE5TCR ROHM Semiconductor MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR QH8JE5TCR ROHM 4197356.pdf Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR
QH8JE5TCR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 100V Dual Pch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8JE5TCR 4197356.pdf
QH8JE5TCR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.