QH8JE5TCR ROHM Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.68 грн |
| 10+ | 55.42 грн |
| 100+ | 32.13 грн |
| 500+ | 28.93 грн |
| 1000+ | 26.22 грн |
| 3000+ | 22.67 грн |
| 6000+ | 20.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8JE5TCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції QH8JE5TCR за ціною від 66.12 грн до 104.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8JE5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
QH8JE5TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8JE5TCR - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 100 V, 2 A tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.27ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 8Pin(s) Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Verlustleistung, n-Kanal: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |