Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QH8K51TR
QH8K51TR

QH8K51TR Rohm Semiconductor

datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.26 грн
6000+28.67 грн
9000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8K51TR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8, Power - Max: 1.1W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V.

Інші пропозиції QH8K51TR за ціною від 30.01 грн до 76.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8K51TR QH8K51TR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.03 грн
10+59.55 грн
100+46.31 грн
500+36.84 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR QH8K51TR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K51TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.03 грн
10+59.55 грн
100+46.31 грн
500+36.84 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8K51TR datasheet?p=QH8K51&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
QH8K51TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.