QH8K51TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.74 грн |
| 6000+ | 29.11 грн |
| 9000+ | 27.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8K51TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції QH8K51TR за ціною від 26.81 грн до 81.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QH8K51TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 16760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QH8K51TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
QH8K51TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET. |
на замовлення 5864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|