QH8K51TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 325mOhm @ 2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.20 грн |
| 10+ | 70.06 грн |
| 100+ | 46.79 грн |
| 500+ | 34.51 грн |
| 1000+ | 31.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8K51TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції QH8K51TR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
QH8K51TR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET. |
на замовлення 5864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
QH8K51TR | ROHM |
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QH8K51TR |
![]() |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
MOSFETs QH8K51 is the low on - resistance MOSFET for switching application. 100V Nch+Nch Small Signal MOSFET.
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| QH8K51TR |
![]() |
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
Description: ROHM - QH8K51TR - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 2 A, 0.24 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.24ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)



