на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.14 грн |
| 10+ | 49.80 грн |
| 100+ | 29.94 грн |
| 500+ | 25.03 грн |
| 1000+ | 21.28 грн |
| 3000+ | 19.23 грн |
| 6000+ | 17.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8KA2TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QH8KA2TCR за ціною від 19.40 грн до 83.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8KA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
QH8KA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| QH8KA2TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QH8KA2TCR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
QH8KA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |