QH8KA4TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 31.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8KA4TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm, tariffCode: 85412900, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, productTraceability: No, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, hazardous: false, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Produktpalette: -, Bauform - Transistor: TSMT, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm, Dauer-Drainstrom Id: 9A, rohsPhthalatesCompliant: YES, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm, usEccn: EAR99, Transistormontage: Oberflächenmontage, Verlustleistung Pd: 1.5W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції QH8KA4TCR за ціною від 27.59 грн до 117.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8KA4TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QH8KA4TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 30V Nch+Nch Si MOSFET |
на замовлення 4473 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QH8KA4TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8KA4TCR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0125 ohm tariffCode: 85412900 Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C productTraceability: No Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0125ohm Anzahl der Pins: 8Pin(s) Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A MSL: MSL 1 - unbegrenzt hazardous: false Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Produktpalette: - Bauform - Transistor: TSMT Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR rohsCompliant: YES Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds: 30V Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0125ohm Dauer-Drainstrom Id: 9A rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm usEccn: EAR99 Transistormontage: Oberflächenmontage Verlustleistung Pd: 1.5W SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 2991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QH8KA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 9A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 3344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QH8KA4TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QH8KA4TCR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |