QH8KB6TCR Rohm Semiconductor


datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8KB6TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8, Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 1.1W (Ta), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції QH8KB6TCR за ціною від 24.58 грн до 113.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8KB6TCR QH8KB6TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+61.70 грн
100+48.00 грн
500+38.18 грн
1000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCR QH8KB6TCR ROHM Semiconductor datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+41.21 грн
500+32.45 грн
1000+29.62 грн
3000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCR datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A TSMT8
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.7mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.44 грн
10+61.70 грн
100+48.00 грн
500+38.18 грн
1000+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8KB6TCR datasheet?p=QH8KB6&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs TSMT8 2NCH 40V 8A
на замовлення 2546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.56 грн
10+70.97 грн
100+41.21 грн
500+32.45 грн
1000+29.62 грн
3000+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.