QH8M22TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 37.30 грн |
| 6000+ | 33.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8M22TCR Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QH8M22TCR за ціною від 37.04 грн до 111.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
QH8M22TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 40V 4.5A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 193pF @ 20V, 450pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.5A, 10V, 190mOhm @ 2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.6nC @ 10V, 9.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10µA, 3V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 9928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| QH8M22TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QH8M22TCR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
QH8M22TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs 40V Nch+Pch Middle Power MOSFET |
товару немає в наявності |