| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.00 грн |
| 10+ | 34.87 грн |
| 100+ | 22.04 грн |
| 500+ | 18.43 грн |
| 1000+ | 15.72 грн |
| 3000+ | 14.19 грн |
| 6000+ | 13.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MA2TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QH8MA2TCR за ціною від 17.52 грн до 68.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8MA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| QH8MA2TCR | Виробник : Rohm |
Транзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,... Група товару: Транзистори Корпус: кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
QH8MA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |