QH8MA2TCR ROHM Semiconductor


datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 30V Nch+Pch Power MOSFET
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+42.69 грн
10+34.61 грн
100+21.88 грн
500+18.29 грн
1000+15.60 грн
3000+14.08 грн
6000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8MA2TCR ROHM Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8, Configuration: N and P-Channel, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: TSMT8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 1.25W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ).

Інші пропозиції QH8MA2TCR за ціною від 17.39 грн до 68.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8MA2TCR QH8MA2TCR Rohm Semiconductor datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.68 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR Rohm qh8ma2tcr-e.pdf Транзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,... Транзистори Корпус: TSMT-8 Од. ви
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR datasheet?p=QH8MA2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.34 грн
10+40.98 грн
100+26.68 грн
500+19.26 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA2TCR qh8ma2tcr-e.pdf
Виробник: Rohm
Транзистор польовий N+P, Id, A = 4.5, 3, Udss, В = 30, Ciss, пФ @ Uds, В = 365 @ 10, Qg, нКл = 8,4 @ 10 В, Rds = 35 мОм @ 4.5 А, 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 1 мА, Р, Вт = 1,25, Тексп, °C = -55...+150, ton = 7,2, toff = 12,... Транзистори Корпус: TSMT-8 Од. ви
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.