
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 45.38 грн |
10+ | 36.80 грн |
100+ | 23.26 грн |
500+ | 19.45 грн |
1000+ | 16.59 грн |
3000+ | 14.97 грн |
6000+ | 13.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MA2TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.25W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QH8MA2TCR за ціною від 17.78 грн до 69.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QH8MA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 1269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
QH8MA2TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
QH8MA2TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A, 3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |