
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 68.50 грн |
10+ | 55.53 грн |
100+ | 37.58 грн |
500+ | 31.85 грн |
1000+ | 25.91 грн |
3000+ | 24.44 грн |
6000+ | 23.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MA4TCR ROHM Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.
Інші пропозиції QH8MA4TCR за ціною від 27.87 грн до 103.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QH8MA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
QH8MA4TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
QH8MA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |