QH8MA4TCR Rohm Semiconductor


qh8ma4tcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.96 грн
10+61.55 грн
100+40.80 грн
500+29.95 грн
1000+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QH8MA4TCR Rohm Semiconductor

Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.5W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA, Supplier Device Package: TSMT8, Part Status: Active.

Інші пропозиції QH8MA4TCR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QH8MA4TCR QH8MA4TCR Rohm Semiconductor qh8ma4tcr-e.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCR QH8MA4TCR ROHM Semiconductor qh8ma4tcr-e.pdf MOSFETs Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCR qh8ma4tcr-e.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT8
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QH8MA4TCR qh8ma4tcr-e.pdf
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs Zener Diode, 100mW, 2 Pin.
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.