QH8MA4TCR ROHM
Виробник: ROHMDescription: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.80 грн |
| 500+ | 34.74 грн |
| 1000+ | 29.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MA4TCR ROHM
Description: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції QH8MA4TCR за ціною від 23.86 грн до 114.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8MA4TCR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFET Zener Diode, 100mW, 2 Pin. |
на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QH8MA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QH8MA4TCR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QH8MA4TCR - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0123ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QH8MA4TCR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
QH8MA4TCR Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
QH8MA4TCR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 9A/8A TSMT8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A, 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT8 Part Status: Active |
товару немає в наявності |