QH8MC5TCR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QH8MC5TCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції QH8MC5TCR за ціною від 27.95 грн до 103.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QH8MC5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
QH8MC5TCR | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
QH8MC5TCR | Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 Part Status: Active Supplier Device Package: TSMT8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 1.1W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SMD, Flat Leads Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
QH8MC5TCR | ROHM Semiconductor |
MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET |
на замовлення 2743 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
QH8MC5TCR | ROHM |
Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| QH8MC5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 249+ | 56.89 грн |
| QH8MC5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET N/P-CH 60V 3A/3.5A 8-Pin TSMT T/R
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 149+ | 95.07 грн |
| 209+ | 67.80 грн |
| 280+ | 50.45 грн |
| 500+ | 39.18 грн |
| 1000+ | 32.61 грн |
| QH8MC5TCR |
|
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 10V, 17.3nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3A, 10V, 91mOhm @ 3.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135pF @ 30V, 850pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta), 3.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SMD, Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.61 грн |
| 10+ | 62.99 грн |
| 100+ | 41.80 грн |
| 500+ | 30.69 грн |
| 1000+ | 27.95 грн |
| QH8MC5TCR |
|
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
MOSFETs 60V 3.0A/3.5A, Dual Nch+Pch, TSMT8, Power MOSFET
на замовлення 2743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| QH8MC5TCR |
|
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ROHM - QH8MC5TCR - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 60 V, 60 V, 3 A, 3 A, 0.07 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.5W
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)