QS5K2TR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT5
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.20 грн |
| 6000+ | 13.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QS5K2TR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції QS5K2TR за ціною від 11.24 грн до 73.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
на замовлення 35493 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM Semiconductor |
MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5 |
на замовлення 29227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.25W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA Supplier Device Package: TSMT5 |
на замовлення 133797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSMT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
QS5K2TR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R |
на замовлення 359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| QS5K2TR | Виробник : ROH |
07+; |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
 |
QS5K2TR | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 2A; Idm: 8A; 1.25W; TSOT25 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Gate-source voltage: ±12V Drain current: 2A Gate charge: 2.8nC On-state resistance: 154mΩ Power dissipation: 1.25W Pulsed drain current: 8A Case: TSOT25 Semiconductor structure: common source Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 |
товару немає в наявності |