Продукція > ROHM SEMICONDUCTOR > QS5K2TR
QS5K2TR

QS5K2TR Rohm Semiconductor

qs5k2.pdf
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+16.82 грн
9000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QS5K2TR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSMT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції QS5K2TR за ціною від 11.39 грн до 68.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
670+21.08 грн
695+20.33 грн
1000+19.66 грн
2500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.51 грн
574+24.59 грн
1000+23.79 грн
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
434+32.54 грн
578+24.43 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 35493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
420+33.63 грн
556+25.40 грн
559+25.29 грн
698+19.50 грн
1000+16.49 грн
2000+15.72 грн
3000+12.20 грн
6000+12.10 грн
24000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.83 грн
10+41.45 грн
50+30.52 грн
100+25.33 грн
500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR ROHM Semiconductor qs5k2.pdf MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
на замовлення 29227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR ROHM qs5k2.pdf Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR ROHM qs5k2.pdf Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR QS5K2TR Rohm Semiconductor qs5k2.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR ROH qs5k2.pdf 07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
670+21.08 грн
695+20.33 грн
1000+19.66 грн
2500+18.40 грн
Мінімальне замовлення: 670 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
554+25.51 грн
574+24.59 грн
1000+23.79 грн
2500+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
434+32.54 грн
578+24.43 грн
1000+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 434 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 35493 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
420+33.63 грн
556+25.40 грн
559+25.29 грн
698+19.50 грн
1000+16.49 грн
2000+15.72 грн
3000+12.20 грн
6000+12.10 грн
24000+11.39 грн
Мінімальне замовлення: 420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
Supplier Device Package: TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 70647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.83 грн
10+41.45 грн
50+30.52 грн
100+25.33 грн
500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFETs N-CHAN MOSF 30V 2A TSMT5
на замовлення 29227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: ROHM
Description: ROHM - QS5K2TR - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.154ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.25W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
QS5K2TR
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 30V 2A 5-Pin TSMT T/R
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QS5K2TR qs5k2.pdf
Виробник: ROH
07+;
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.